SJT 10066-1991BT37型PN硅单结晶体管详细规范.pdf

中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范BT37型PN硅单结晶体管Detail specification for electronic componentSJ/T 10066-91PN silicon unijunction transistors for type BT 37（可供认证用）本规范规定了BT37型PN硅单结晶体管质激评定的全部内容，它是按照GB/T13066《PN硅单结晶体管空白详细规范》制定的。本规范符合GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12560《半导体分立器件分规范》的要求。中国电子元器件质量认证委员会标准机构是中国电子技术标准化研究所。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施1 SJ/T 10066--91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路SJ/T 10066--91总规范》GB12560《半导体分立器件分规范》BT37A.BT37B.BT37C.BT37D.BT37E.BT37F型PN硅单结晶体管详细规范订货资料：见本规范第7章1机械说明2简略说明外形标准：GB7581《半导体分立器件外形尺PN硅单结晶体管寸》中代号A3-02C半导体材料：N型硅外形图及引出端识别：封装：金属(空腔)应用：适用于双稳态线路，电压偏置线路，时间线路及点火和振荡线路.8.64~9.393质量评定类别8.01~8.501类066~09参考数据：（Tamb25℃）Prot(T)= 700 mW2:↑:0.30~0.55(A B)20. 45~0. 75(C D)0. 65~0. 90(E F)VeBI ≤4 VIs2 : 5~35 mA公称尺寸：单位mm标志：见本规范第6章 SJ/T 10066--914极限值（绝对最大额定值）数值条文号符号极限值单位最小值最大值4.1工作环境温度Tamb175℃--554. 2贮存温度Tstg-55175℃4. 3最高基极电压30VVB2B(MAx)4. 4耗散功率4.4.1最高有效(等效)结温175T (vi)℃4.4.2与温度相关的最大总耗Ptot(T)700mw散功率?注：①见附录B，其中RB!=2002。②Tamb25℃，Ptot按4.67mW/℃线性降额。5电特性检验要求见本规范的第8章特性和条件值数条文号除非另有规定符号单位检验组别最小值最大值Tamb = 25℃5.1分压比A2b1Vm281 * 20 VBT 37 A,B0.300.55BT 37 C、D0. 450.750.90BT 37 E、F0.655.2基极间电阻ReBko2A2bVB2Bl = 20 VI 0BT 37A、C.E365BT 37 B、D、F125.3发射极与第二基极间Iep2o-1IAA2b向电流Vgp? --60 VIni - 05. 4发射极饱和压降VeBtVA2bs281 20 VIe -- 50 mA SJ/T10066-91(续表)特性和条件数值条文号除非另有规定符位号单检验组别最小值最大值Tamb= 25℃5. 55基极间调制电流135mAA2bV8281 = 20 VIg =50mA5. 6发射极峰点电流2IpμAA2bVB2B1 20 V5.7发射极谷点电流Iv1.5mAA2bVz21 = 20 VRs2 100 α5.8谷点电压Vv43.5A2bVz21 = 20 VRB2—100 Q6 标志6.1器件上的标志型号和质量类别(放在型号后面)；a.b.制造厂商标；c.检验批识别代码；d．认证合格标志(适用时)。6.2包装盒中的标志；o重复器件上的标志；b“防湿”等。7 订货资料型号;a.b.本规范编号；其它。c. SJ/T 10066-918试验条件和检验要求A组—逐批全部试验是非破坏性的检查要求条件检验或试验引用标准数值除非另有规定1类单位Tamb = 25℃CLTPD最小值最大值A1分组5目检5.1.1A2a分组1不工作器件Rss附录A70. 3 VB281 =20 V, Ig = 01200ko2n附录A3VB281 = 20 V0. 0390A2b分组5n附录A3VB2B1 = 20 VBT 37 A. B0. 300. 55BT 37 C. D0. 450. 75BT 37.E.F0. 650. 90RB附录 A 7Ve2B1 20 V, Ie 0kQBT 37 ACE36BT 37 BDF512 Ien20附录A8VB20 = -- 60 V-1uAIp1 = 0VBEl附录A4Va281 = 20 VAVIg =50mAI n2VnzB1 = 20 V535mAIg = 50 mAIp附录A52VB2B1 = 20 VμAIv