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- 2023-08-09 发布于四川
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本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于GaN技术的工业电源，通过在外延层中的外延扩散区的中心位置设置第一掺质区和设置的第三掺质区形成耗尽区，通过设置第四掺质区形成薄耗尽区，这样使得第一掺质区能够全部耗尽，形成了本征半导体的结构，能够提高耐压性和GaN晶体管的散热性；本方案设计的GaN晶体管，能够有效抑制功率开关的关断电压尖峰和降低GaN晶体管的关断损耗和开关噪声，进一步提升产品的开关频率，实现产品的高频化，且能够进一步减小产品尺寸，从而提高产品的功率密度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210040205 U
(45)授权公告日
2020.02.07
(21)申请号 20192
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