SJ_T 11507-2015集成电路用 氧化层缓冲腐蚀液.pdf

ICS 31. 030L 90备案号：50564-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11507-2015集成电路用氧化层缓冲腐蚀液Oxide coating etching buffer for integrated circuit2015－10-01 实施2015-04-30 发布发布中华人民共和国工业和信息化部SJ SJ/T 11507--2015言前本标准是按照GB/T1.1-2009之规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：江阴润玛电子材料股份有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。本标准主要起草人：戈士勇、何珂、王周霞、主香、裴会川。Am:.1.0-福MT SJ/T 11507——2015集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 范围1本标准规定了集成电路用氧化层缓冲腐蚀液的术语、性状、技术要求、试验方法、检验规则和包装标志、储存、运输等。本标准适用于集成电路用氧化层缓冲腐蚀液。本标准不涉及使用安全性问题。本标准的使用人应负责建立适当的安全健康条款及使用范围的限制。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T191：包装储运图示标志-化学试剂标准滴定溶液的制备GB/T 601 :化学试剂杂质测定用标准溶液的制备GB/T 602化学试剂试验方法中所用制剂及制品的制备GB/T 603-化学试剂色度测定通用方法GB/T 605花工产品采样总则GB/T 6678分析实验室用水规格和试验方法GB/T 6682GB/T9727、化学试剂磷酸盐测定通用方法化学试剂、硫酸盐测定通用方法GB/T 9728化学试剂氯化物测定通用方法GB/T 9729化学试剂硅酸盐测定通用方法GB/T 9742电子级水、GB/T 11446.1GB15258化学品安全标签编写规定电子工业洁净广房设计规范GB 50472SJ/T11510--2015液晶显示器用铝腐蚀液3术语和定义超纯硝酸ultrapure nitric acid金属离子含量不大于1 ug/L的硝酸。 SJ/T 11507—20154性状和技术要求4.1 性状本腐蚀液为无色透明液体，呈酸性，是氟化铵与氢氟酸按一定比例混合的缓冲溶液，氟化铵含量允许偏差为土0.4%，氢氟酸含量允许偏差为士0.25%4.2技术要求氧化层缓冲腐蚀液的技术要求应符合表1的规定：表1技术要求指标项目11II III色度≤10Hazen颗粒 (≥0.5μm)≤25≤25≤10pcs/mL颗粒(≥1.0μm)≤10≤10一pcs/mL氯化物（CI)≤3≤3≤2mg/kg硫酸盐（SO4)≤1.5≤1.5 ≤1mg/kg磷酸盐（PO4)≤0.5≤0.5≤0.4mg/kg氟硅酸盐（SiF。）≤50≤50≤10mg/kg银(Ag)≤500≤10≤1μg/kg铝 (Al)≤100≤10≤1μg/kg砷(As)≤300≤10μg/kg≤1金(Au)≤500≤10≤1μg/kg硼(B)≤200≤10≤1μg/kg钡(Ba)≤500≤10≤1μg/kg2 SJ/T 11507--2015表1 (续)指标项目IIII11钙(Ca)≤1≤10≤500μg/kg镉(Cd)≤1≤10≤200μg/kg钴(Co)≤1≤10≤200μg/kg铬(Cr)≤1≤10M500iμg/kg铜(Cu)≤10≤1≤200.μg/kg铁(Fe)≤1≤10≤500μg/kg:≤16V、镓（Ga)≤1≤500μg/kg:-汞（Hg）≤1≤10-cμg/kgES22≤1铟（In)≤10≤500，μg/kg≤1钾 (K)105002μg/kg锂 (Li)≤1≤10≤500μg/kg≤1镁 (Mg)≤10≤500μg/kg≤1锰(Mn)10一≤500μg/kg≤1钼(Mo)10≤500μg/kg..-≤1钠(Na)≤10≤100μg/kg≤1镍(Ni)≤10≤500μg/kg≤1铅(Pb)≤10≤100μg/kg≤1铂 (Pt)≤10≤500μg/kg≤1锑（Sb)≤10≤500μg/kg3 SJ/T 11507—2015表1 (续)指标项目1IIIII锡(Sn)≤500≤101μg/kg钛(Ti)500≤10\1μg/kg钒 (V)≤101μg/kg锌(Zn)≤500≤10≤1μg/kg锆(Zr)≤10≤1μg/kg铋(Bi)≤500《10≤1μg/kg5试验方法5.1 一般规定本试验方法中除另有规定外，标准滴定溶液、杂质测定用标准溶液和所用制剂及制品按GB/T601、GB/T602、GB/T603的