SJ_T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法.pdf

ICS 29. 045H 83S备案号：50560-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11503---2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法Test methods for measuring surface roughness of polished monocrystalline siliconcarbide wafers2015- 10-01 实施2015- 04 - 30 发布0发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11503—2015言前本标准按照GB/T 1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达蓝光半导体有限公司、工业和信息化部电子工业标准化研究院。本标准主要起草人：丁丽、何友琴、郑红军、蔺娴、张玮、何秀坤、冯亚彬、裴会川。- ,--~---23--三-2---2-.-3=-3二=*福:3 =_ 7-3 SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法1范围本标准规定了测试碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的方法,包括表面轮廓仪法和原子力显微镜法。本标准适用于碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试。其中，原子力显微镜法仅适用于经过化学机械抛光