SJ_T 2658.1-2015半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：52028-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2658.1—2015代替 SJ/T 2658.1—1986半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode—Part 1: General2015-10-10发布2016-04-01实施发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2658.1—2015前言SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》拟分成部分出版，目前计划发布如下部分：第1部分：总则；第2部分：正向电压；第3部分：反向电压和反向电流；第4部分：总电容；第5部分：串联电阻AFORMATIONEAZETRY第6部分：辐射功辐射强度第8部分：第9部分辐射强S第10部调制带TECHNOL第11部响应时门分：第12部分峰值发身和光谱辐射带宽；第13部分辐射功率温度系数发第14部分：结温；第15部热阻；第16部分光电转换本部分为SV/U058的第1部本部分依据GB/T2009《标准导则第1部分：标准的结构和编写给出的规则起草。1986《半导体红外发光二极管测试方法总则》除编辑性修改外主要技本部分代替SJ/T2658术变化如下：删除了对光学学参数的测试误差要求(见SJ/T2658.1—1986中的11:2,1.3);删除了