1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种LED外延片和半导体器件.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.4万字
  • 约 16页
  • 2023-08-10 发布于四川
  • 举报

一种LED外延片和半导体器件.pdf

    本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本实用新型通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210052757 U (45)授权公告日 2020.02.11 (21)申请号 20192

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >