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第 3 章; 半导体发光器件的材料主要使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶,如GaAs、GaP、GaN, 或者是三元化合物晶体GaAsP、GaAlAs、InGaN以及四元化合物晶体InGaAlP、InGaAsP等。; 右图为砷化镓的动量-能量关系曲线，其价带顶部与导带最低处发生在相同动量处(p＝0)。因此，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。这类半导体称为直接带隙半导体。;;3.4 半导体发光材料的条件;
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