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截止波导管 损耗 频率 fc 截止频率 频率高的电磁波能通过波导管，频率低的电磁波损耗很大！工作在截止区的波导管叫截止波导。 截止区 杨继深 2002年4月 第三十页，共四十六页，2022年，8月28日 截止波导管的屏效 截止波导管 屏蔽效能 = 反射损耗： 远场区计算公式 近场区计算公式 + 吸收损耗 圆形截止波导： 32 t / d 矩形截止波导： 27.2 t / l 孔洞计算屏蔽效能公式 杨继深 2002年4月 第三十一页，共四十六页，2022年，8月28日 截止波导管的损耗 杨继深 2002年4月 第三十二页，共四十六页，2022年，8月28日 截止波导管的设计步骤 孔洞的泄漏不能满足屏蔽要求SE 确定截止波导管的截面形状 确定要屏蔽的最高的频率 f 确定波导管的截止频率 fc 计算截止波导管的截面尺寸 由SE 确定截止波导管的长度 5f 杨继深 2002年4月 第三十三页，共四十六页，2022年，8月28日 * * 电磁兼容培训胶片屏蔽 杨继深 2002年4月 第一页，共四十六页，2022年，8月28日 电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 杨继深 2002年4月 第二页，共四十六页，2022年，8月28日 实心材料屏蔽效能的计算 入射波 场强 距离 吸收损耗A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B B 杨继深 2002年4月 第三页，共四十六页，2022年，8月28日 波阻抗的概念 波阻抗 电场为主 E ? 1/ r3 H ? 1 / r2 磁场为主 H ? 1/ r3 E ? 1/ r2 平面波 E ? 1/ r H ? 1/ r 377 ?/ 2? 到观测点距离 r E/H ? 杨继深 2002年4月 第四页，共四十六页，2022年，8月28日 吸收损耗的计算 t 入射电磁波E0 剩余电磁波E1 E1 = E0e-t/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB 0.37E0 ? A ＝ 8.69 ( t / ? ) dB A = 3.34 t ? f ?r?r dB 杨继深 2002年4月 第五页，共四十六页，2022年，8月28日 趋肤深度举例 杨继深 2002年4月 第六页，共四十六页，2022年，8月28日 反射损耗 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。 ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r 远场：377? 近场：取决于源的阻抗 同一种材料的阻抗随频率变 杨继深 2002年4月 第七页，共四十六页，2022年，8月28日 不同电磁波的反射损耗 远场: R ＝ 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz） 2 D f D f Zs Zs 电场: R ＝ 20 lg 磁场: R ＝ 20 lg dB 杨继深 2002年4月 第八页，共四十六页，2022年，8月28日 影响反射损耗的因素 150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) r = 30 m 电场r = 1 m 靠近辐射源 r = 30 m 磁场 r = 1 m 靠近辐射源 杨继深 2002年4月 第九页，共四十六页，2022年，8月28日 综合屏蔽效能 (0.5mm铝板) 150 250 平面波 0 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 高频时 电磁波种类 的影响很小 电场波 r = 0.5 m 磁场波 r = 0.5 m 屏蔽效能（dB） 频率 杨继深 2002年4月 第十页，共四十六页，2022年，8月28日 多次反射修正因子的计算 电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ? ) 说明： B为负值，其作用是减小屏