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- 2023-08-10 发布于四川
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本实用新型公开了一种低电感高均流的IGBT模块,包括散热铜板、设置于散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于陶瓷覆铜板上的偶数组IGBT芯片和二极管,陶瓷覆铜板由对称分布的第一陶瓷覆铜板和第二陶瓷覆铜板构成;第一、第二陶瓷覆铜板上分隔有多块相互独立的铜层,每组IGBT芯片和二极管分布于同一块铜层上,且每组IGBT芯片和二极管之间均通过与之邻近的铜层间接键合。陶瓷覆铜板分开对称设计可以降低功率半导体模块的电感,提高功率半导体模块在实际应用中芯片的均流性;IGBT芯片与二极管的间接键合结构以陶瓷覆铜板作为载流
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210052740 U
(45)授权公告日
2020.02.11
(21)申请号 20192
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