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对比ADI两代TD-SCDMA射频IC得到的启示 　　TD-SCDMA即将商用，在基带芯片方面，展迅、凯明、T3G、重邮等本土企业开展得如火如荼，但是与基带芯片配合的 射频芯片一直是国内3G产业的薄弱环节。目前已有一些解决方案：锐迪科推出支持HSDPA的TD/GSM双模芯片(RDA8206)；鼎芯TD射频芯片(射频收发器CL4020+模拟基带CL4520)实现系统级HSDPA传输；广晟推出TD/GSM双模芯片(RS1012)。有人评述这三家公司的TD射频芯片：“射频方面，锐迪科和鼎芯都强调CMOS工艺的先进性(我想主要是低成本优点，广晟的RS1012采用BiCMOS工艺)；广晟和锐迪科采用TD/GSM双模方案，对于未来2年~3年双模方式将并存更具现实意义(鼎芯的CL4020是TD单模方案)。”相对于这些比较，我们更希望深入了解射频芯片的设计问题。也许，从ADI公司两代TD射频芯片方案(第一代参见图1；第二代芯片参见图2)的对比中，我们会有一些收获。 　　 　　TD射频芯片面临的挑战与绝大多数射频IC面临的挑战是一样的：首先，必须满足性能指标，并有一定的冗余，因为要考虑系统中其它元件的制造容限；其次，尺寸与功率必须一代代不断提高；第三，整个无线 　　电设备中的外部元件数量必须有所减少。注意到在图1中，发射芯片和接收芯片是分立的两颗芯片，而很多本土产商提供收发器集成的方案。ADI