一种叠栅GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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一种叠栅GaN基MOS-HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种叠栅GaN基MOS‑HEMT器件及其制备方法。本发明的目的在于克服已有的GaN基MOS‑HEMT器件栅介质层制备技术的缺陷，可以在保证器件栅极漏电、击穿耐压和栅极电压摆幅的前提下，减少栅介质层和外延层的界面缺陷和改善器件电流崩塌效应，保证器件的可靠性和动态性能。本发明第一栅介质层后采用氮气下退火，修复磁控溅射沉积高介电常数绝缘薄膜对异质结外延所带来的损伤，提高器件跨导和栅极控制能力，大幅减少栅极漏电。同时沉积第二栅介质层覆盖第一栅介质层，有效修复氮气退火带来器件击穿耐压退化的问题

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116581157 A (43)申请公布日 2023.08.11 (21)申请号 202310428944.8 (22)申请日 2023.04.20 (71)申请人华南理工大学地址 510640