一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域，旨在解决现有技术中SBD结构占用大量硅表面面积，导致芯片面积大、成本高且工艺控制难度较大的问题。其技术方案要点是在元胞区设置第一类沟槽，在终端区环绕元胞区设置有截止环结构，在终端区设置有位于第一类沟槽和截止环结构之间的若干个第二类沟槽，位于N型外延层顶部设置有位于相邻的至少两个第二类沟槽之间的肖特基结构，肖特基结构包括有同时跨越至少两个第二类沟槽的金属条，金属条底壁向下延伸出嵌入对应第二类沟槽的突出部，金属条与N型外延层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113555354 A (43)申请公布日 2021.10.26 (21)申请号 202110707129.6 (22)申请日 2021.06.24 (71)申请人滁州