一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法.pdfVIP

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2023-08-12 发布于四川
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一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法.pdf

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本发明公开了一种在金属衬底生长砷化镓外延的方法，涉及太阳电池领域。本发明依次通过在金属箔衬底上外延生长多层过渡层材料，对顶层过渡层材料进行刻蚀形成图形化衬底，以及采用MOCVD进行砷化镓外延生长的工艺方法实现在金属衬底上制备砷化镓太阳电池的方法。采用这种工艺方法制备的金属箔衬底砷化镓太阳电池工艺简便，成本低廉，由于金属箔基底柔性的特点也可增加太阳电池的应用范围。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116581198 A (43)申请公布日 2023.08.11 (21)申请号 202310623957.0 (22)申请日 2023.05.30 (71)申请人上海空间电源研究所地址 200