能带理论用来详细解释PN结形成和光生伏特原理.docxVIP

能带理论在半导体光生伏特效应中的应用内容 能带理论在半导体光生伏特效应中的应用 【本讲课程的内容】 一、基础知识与概念 1、费米能级的定义及其物理意义1）费米能级的定义:根据量子力学理论，具有半奇数自旋量子数（通常为1/2）的费米子，如电子，遵循泡利不相容原理，即一个量子态只能被一个粒子所占据。因此，费米子在能级中的分布遵循费米（狄拉克分布。,k为玻尔兹曼常数. ^Er+1B 分布函数f（E）是指电子（研究对象）占据能带（导带）中某个能级的几率（电子的能量越往上越高）。如果是讨论空穴载流子的话（空穴的能量越往下越高），那么就应当是相应于价带中某个能级所空出（即没有被电子占据）的几率. 2）费米能级的物理意义：Fermi能级（E）实际上起到了衡量能级被电子占据的几F率大小的一个标准的作用.在E〈Ef时，f（E）1/2；在￡〉Ef时，f（E）1/2；在E=Ef时，f（E）=1/2。因此，EF的高低（位置）就反映了能带中的某个能级是否被电子所占据的情况.Fermi能级上电子占据的几率刚好为50%。Ef是一种用来描述电子的能级填充水平的假想能级 2、p型和n型半导体中的能级分布特点 对于绝缘体和半导体，Fermi能级则处于禁带中间。特别是本征半导体和绝缘体，因为它们的的价带是填满了价电子（占据几率为100%）、导带是完全空着的（占据几率为0%），则它们的Fermi能级正好位于禁带中央（占据几率为50%）.即使温度升高时，本征激发而产生出了电子一空穴对，但由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数，则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%,所以，本征半导体的Fermi能级的位置不随温度而变化，始终位于禁带中央。 对于n型半导体，因为导带中有较多的电子（多数载流子），则Fermi能级EF必将靠近导带（Ec）底；同时，掺入施主杂质的浓度越高，Fermi能级就越靠近导带底。 对于p型半导体，因为价带中有较多的自由空穴（多数载流子），则Fermi能级EF在价带（Ev）顶之上、并必将靠近Ev;这时，价带中越是靠近Ef的的能级，就被空穴占据的几率越大；同时，掺入受主的杂质浓度越高，Fermi能级就越靠近价带（Ev）顶。 总之，凡是Ef靠近导带（Ec）底的半导体必将是电子导电为主的n型半导体，凡是Ef靠近价带（E型半导体。 n型手导体导带 电子??????旃主能级Efl费米能级Eg空穴o忻情顶的半导体必将是空穴导电为主的P P型半导体 费来就级E（,p eo-oe-o受主盹斌E* OOOOOO空穴 图3.6.1n型和p型半导体的能级结构图 虽然严格来说，费米能等于费米子系统在趋于绝对零度时的化学势；但是在半导体物理和电子学领域中，费米能级则经常被当做电子或空穴化学势补充:金属塑性变形其他形式:孪生 的代名词. 通俗地说，费密能级就像水平面一样.在一个相通系统中，水平面必须相等。比如说，有两个水桶，里面装的水量不一样，水面高度也不一样。但如果用一根管子将两个水桶连通，两个水桶之间就会发生水流，最后使两个水桶的水平面一定会相等.费密能级也是这样。两个分立的材料，费密面可以不一样。但如果这两个材料连成一个系统，就会在这两个材料之间发注意: 共反是液中出同晶应由相析不的固相 生电荷的移动，最终使费密能级相等. ?wE|【】明白 ?JlKH」 oooooo^3、半导体光生伏特效应简介（太阳能电池）解释角度（能量）PT角度有所不同图3。6.2首先考虑禁带宽度相等的p型半导体与n型半导佳的结合情况，例如p型硅与n型硅的结合。如所示，受光激发后，在二者的结合区域，会产生大量的光生空穴载流子和电子载流子。当然，这些光生正、负电荷载流子还有可能再次相互结合。但【一部分光生电子（载流子）会移动到能级较低的n型导带，光生空穴（载流子）会移动到能级较低的p型价带】。其结果是在n型中负电荷增加，在p型中正电荷增加，形成电流.但是，这种电荷的增加不会无限进行下去，正负电荷相互分离后，会产生反电位，而阻止正负电荷进一步积累。这种反电位与正负电荷移动趋势相互平衡所到达的平衡状态，就是该太阳能电池产生的电动势的最大值。 图3.6.2光生伏特效应示意图二、光生伏特效应的物理本质（详细介绍）1、p-n结中p型和n型半导体接触初始瞬间的能级状态 在一个半导体中形成p型和n型两个区域,p型和n型的界面就是p-n结。图3。6。3表示p—n结在结合瞬间的能级状态。 由于P型区域的费密能级低于n型区域的费密能级，电子就会从n型流向p型，以提高p型区域的费米能级（千万要知道费米函数、费米能级研究对象都是电子）（见下图，就很好）。另外，空穴也从p型流向n型.电子和空穴的这种扩散运动使得n型区域带正电（正离子区），p型区域带负电（负离子区）.所以，p型半导体与n型半导体结合后，在接触面会形成局部电位差