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本实用新型公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlxGa1‑xN势垒层、P型AlGaN掺杂层、栅电极、源电极以及漏电极；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlxGa1‑xN势垒层的上表面向下扩散形成的；AlxGa1‑xN势垒层中的x表示Al元素含量，x的取值范围为0.01‑0.5；栅电极与P型AlGaN掺杂层的上表面接触；源电极以及漏电极分别与AlxGa1‑xN势垒层上表面的两侧接触。本实用新型利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1‑xN势垒层的P型掺杂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210092092 U
(45)授权公告日
2020.02.18
(21)申请号 2
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