模电测试题4完整版.docVIP

《模拟电子技术》测试题四 填空题（共23分，每空1分） 1. 半导体的主要特殊性能是_热敏性__, _光敏性_,__可惨杂性________. 2. 晶体三极管饱和状态时，应使发射结处于 正向 偏置，集电极处于 反向 偏置。 3. 某两极放大器，第一极电压放大倍数为30，,第二极电压放大倍数为40，则多极放大器总的电压放大倍数为 1200 。 4. 多级放大器直接耦合带来的问题是 电位互相影响和 零点漂移 ,一般通过 差分放大 电路来抑制。 5. 场效应管根据结构分类为 MOSFET 和 JFET 两种，__JFET_的导电机制属于体内场效应，_MOSFET________的导电机制属于表面场效应。 6. 场效应管属于 电压 控制器件，其特点是 易于集成，输入电阻高 7. 集成运放内部一般都有_偏置电路 、_输入级_、_中间级_、_输出级_四部分组成。 8. 正弦波振荡电路有_放大器__、_反馈网络__、__选频网络__、_稳幅_______组成。 二. 选择题（共20分，每题2分） 1.本征半导体掺入五价元素后成为（ b ） a..本征半导体；b.N型半导体；c.P型半导体； 2. 万用表直流电压档测出的电压是（ b ），交流电压档测出的电压是