patsnap：第三代半导体-氮化镓GaN技术洞察.pdfVIP

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2023-08-16 发布于北京
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第三代半导体-氮化镓(GaN) 技术洞察报告 2021 insight of Innovation in Wide bandgap semiconductor(GaN) industry 氮化镓技术概况 ⚫ 技术简介 ⚫ 技术发展现状 ⚫ 技术创新概况 2 氮化镓（GaN）简介氮化镓材料定义: 氮化镓（GaN）主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV ，也称为宽禁带半导体材料 ➢ 氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新型材料禁带宽度（eV) 第三代半导体氮化镓（GaN）碳化硅（SiC） 2.3 第二代半导体砷化镓（GaAs）宽禁带、高击穿电场强度和 1.4 第一代半导体磷化铟（InP）高热导率，具有可见光至紫硅（Si）外光的发光特性。适用于半 1.12 锗（Ge）高频性能较好，广泛应用导体照明、高压、高频、大功率领域于卫星通信、移动通信和 GPS导航等领域。但资源产业链成熟、成本低，适用稀缺，有毒性，对环境危于低压、低频、中功率场合，害较大是目前半导体器件和集成电路主要制造材料 3 氮化镓(GaN)技术及产业链已初步形成，相关器件快速发展 LED大规模商用化、萌芽阶段初始阶段飞速发展阶段功率/射频器件快速发展 1969年 1986年-1994年 1998年- 2007年 2008年-至今技术发日本科学家Maruska等 1、1986年，赤崎勇和天野 1、1998年，美国Cree公 1、2008年，美国Cree公司 1、2014年，英飞凌收购人采用氢化物气相沉浩采用MOCVD法获得了司开发首个碳化硅基GaN