电力电子半导体器件(GTR).pptVIP

２．截止反偏驱动电路 目的：关断时加反偏驱动，迅速抽出基区过剩载流子，减 小存储时间，加速GTR关断。 ①单极性脉冲变压器驱动电路 VA VB 缺点：变压器单边工作，有直流磁化现象，铁心体积大。 反偏电压大小随导通时间变化。 t t VA 0 0 VB W3回馈能量 当前第30页\共有51页\编于星期六\8点 ②电容储能式驱动电路 工作原理： Vi高电平，*端为正，W2经GTR的B-E结、C、VD2使GTR导通，V截止，电容C充电。 Vi低电平，*端为负， VD2截止，W2经还在导通的B-E结、R2、V发射结、C使V迅速饱和导通，电容C上电压反加于GTR的B-E结，GTR迅速截止。 下一次导通前，C上电压经VD1、R1、R2、 V发射结放电完毕。 当前第31页\共有51页\编于星期六\8点 ③固定反偏互补驱动电路 当前第32页\共有51页\编于星期六\8点 （二）比例驱动电路 使GTR基极电流正比于集电极电流变化，在不同负载时，管子饱和深度基本相同，而且轻载时，驱动功率大大减小。 1．反激式比例驱动电路 特点：靠正反馈加速GTR开通，当工作频率较高时，分布参数影响使开通速度变慢。 当前第33页\共有51页\编于星期六\8点 2．具有强制开通、强制关断的比例驱动电路 特点：电路复杂。 当前第34页\共有51页\编于星期六\8点 三、过电流检测与保护 GTR运行时，过流检测能保证管子正常工作。要求检测电路灵敏度高，响应快。 （一）状态识别法 GTR过载或短路时，集电极电流急剧变化，引起基极电压VBE，集电极电压VCE相应变化。 当前第35页\共有51页\编于星期六\8点 管子开通时，电流上升越快，VBE变化越大。如GTR短路时开通，监测VBE变化，确认故障快。但导通后，较轻过载时，监测VBE灵敏度低。 但VCE电压监测适合过载电流保护，但不适合短路电流保护，二者结合，效果较好。 VBE识别电路 VCE识别电路 存在问题：保护电路存在盲区，等GTR开通后，保护电路 才能使用。 当前第36页\共有51页\编于星期六\8点 * * §4.1 GTR结构 双极型大功率、高反压晶体管——GTR （巨型晶体管） Giant Transistor 三层半导体材料，两个PN结(NPN型、PNP型)。 一、工艺特点 三重扩散；叉指型基极和发射极； 特点：发射区高浓度掺杂 基区很薄（几um—几十um） N-掺杂浓度低，提高耐压能力 N+集电区收集电子 使用时要求：发射结正偏，集电结反偏。 当前第1页\共有51页\编于星期六\8点 二、GTR与普通晶体管区别 1.普通晶体管：信号晶体管，用于放大信号； 要求增益适当，fT高，噪声系数低，线性度好，温度漂移 和时间漂移小。工作于放大区，以载流子运动为出发点， 分析载流子扩散、漂移、复合现象。电流控制特性为线性 关系。 2.GTR：用于功率开关； 要求容量足够大，高电压，大电流，适当增益，较高工作 速度，较低功率损耗。 3.大电流工作下，普通晶体管出现的新特点： ①基区大注入效应：引起电流增益下降。 ②基区扩展效应：使基区注入效率降低，增益β下降，fT减小。 ③发射极电流集边效应：引起电流局部集中，产生局部过热。 因此，GTR在结构上应采取适当措施，减小上述效应。 当前第2页\共有51页\编于星期六\8点 三、单管GTR 采用三重扩散，台面型结构；可靠性高，对二次击穿特性有改善，易于提高耐压，易于耗散体内热量。 增加N-漂移区，由它的电阻率和厚度决定器件阻断能力，但阻断能力提高，使饱和导通电阻增大，电流增益降低。 一般： β 约10—20 工作状态：开关状态（导通、截止；开通、关断） 饱和压降低 漏电流小 时间短 当前第3页\共有51页\编于星期六\8点 四、达林顿GTR 为提高电流增益，由两个或两个以上晶体管复合组成。 NPN型 PNP型 驱动管 输出管 当前第4页\共有51页\编于星期六\8点 特点： ①电流增益β增大： β ≈ β1 β2 ，达几十倍～几千倍； ②饱和压降VCES增大：VCES ≈ VCES1+VBES2 V2管无法饱和导通，VCE2=VCES1 ，反偏状态；导通损耗增大。 ③开关速度慢：开通时，V1驱动V2； 关断时，V1先关断，V2才能关断，且V2关断 无泻流通路。 改进