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本发明提供了一种发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，其制备方法包括：制备发光二极管外延片；制备透明扩展层；制备反射绝缘层：在透明扩展层的芯片表面沉积一层反射绝缘层；制备整体芯片；将整体芯片进行切割；将每颗发光二极管芯片翻转至高温膜；制备绝缘包覆层。本发明所提供的发光二极管芯片的制备方法，其具有工艺简洁(只需要进行两次黄光光刻即可完成)且能够有效提升芯片的稳定性和可靠性、有利于产业化制备的特点。本发明最大的特色在于不需要经过深刻蚀就可以实现倒装芯片制备，采用的是在芯片分开后通过镀膜实现绝缘。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598393 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310780739.8 H01L 33/46 (2010.01)
(22)申请日 2023.06.
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