反熔丝器件和反熔丝单元结构.pdfVIP

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2023-08-16 发布于四川
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反熔丝器件和反熔丝单元结构.pdf

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本实用新型提供一种反熔丝器件和反熔丝单元结构，属于半导体技术领域。反熔丝器件包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极介质层和第一栅极导电层，其中，第一栅极介质层包括填充有导电材料的凹槽，凹槽在垂直于衬底方向的最大深度小于第一栅极介质层的厚度；第一栅极导电层覆盖凹槽且与凹槽内的导电材料连接。第一栅极介质层更容易被高电场击穿，从而可以减小向反熔丝器件施加的电压。对于多个反熔丝器件，可保证击穿电压和击穿位置都相对一致。通过调整反熔丝器件各部分的结构、位置和尺寸，能够缩小器件尺寸，还能实现与其他半导体工艺兼

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210110768 U (45)授权公告日 2020.02.21 (21)申请号 20192