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本发明提供一种超结器件终端保护的版图结构,所述版图结构包括过渡区及终端区;所述角部区域包括:交替排布的所述第一导电类型柱和所述第二导电类型柱,其中,至少一条斜向第二导电类型柱与行方向呈一定夹角斜向延伸至位于所述过渡区内的第二导电类型基区,所述斜向第二导电类型柱靠近所述第一侧边区域的一侧存在多条所述第一导电类型柱及所述第二导电类型柱沿列方向延伸,所述斜向第二导电类型柱靠近所述第二侧边区域的一侧存在多条所述第一导电类型柱及所述第二导电类型柱沿列方向延伸。本发明提供的超结器件终端保护的版图结构能够解决
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115440796 A
(43)申请公布日 2022.12.06
(21)申请号 202211305048.4
(22)申请日 2022.10.24
(71)申请人 上海功成半导体科技有限公司
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