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- 2023-08-16 发布于四川
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本发明实施例提供一种选择性刻蚀方法，该方法包括：提供包括利用改性剂在半导体材料层的表面的选定区域上形成一个或若干个原子层厚度的改性层；以及去除所述改性层。该方法实现了对半导体加工时的刻蚀厚度的精确控制，同时提高了刻蚀速率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598198 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310095894.6
(22)申请日 2018.08.28
(62)分案原申请数据
201810989180.9
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