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深沟槽隔离结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-08-16 发布于四川
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深沟槽隔离结构的形成方法.pdf

    本发明提供一种深沟槽隔离结构的形成方法，在半导体衬底中形成初沟槽之后，继续以图形化的光刻胶层为掩膜，通过第二等离子体刻蚀工艺对初沟槽进行刻蚀，以去除初沟槽侧壁上的多个第一尖角并增大初沟槽与半导体衬底之间的角度而形成深沟槽，并通过第三等离子体刻蚀工艺对深沟槽进行刻蚀，以去除深沟槽的侧壁上的第二尖角，使深沟槽的侧壁平滑，由此改善深沟槽的形貌，从而提高深沟槽隔离结构的性能。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116598254 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310882322.2 (22)申请日 2023.07.19 (71)申请人 粤芯半导体技术股份有限公司 地址

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