一种用于芯片器件的防静电装置.pdfVIP

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  • 2023-08-16 发布于四川
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本实用新型涉及半导体器件领域,尤其一种用于芯片器件的防静电装置,包括Si衬底、金属凸点和N阱区,Si衬底的内侧设置SCR管,SCR管的两侧设置隔离沟槽,隔离沟槽的外侧左端设置有第一TSV区,隔离沟槽的外侧右端设置有第二TSV区,第一TSV区的上端在Si衬底内安装设置有第一互连线,第一互连线连接所述第一TSV区的第一端面和所述SCR管,第二TSV区的下端在Si衬底内安装设置有第二互连线,第二互连线连接所述第二TSV区的第二端面和所述SCR管,本实用新型的有益效果是设置SCR管,通过SCR管实现系统

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 219534529 U (45)授权公告日 2023.08.15 (21)申请号 202320203734.4 (22)申请日 2023.02.14 (73)专利权人 江苏卓宝智造科技有限公司 地址

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