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本实用新型公开了一种高坚固性快恢复二极管，包括：有源区、终端区以及介质层。有源区包括：N‑漂移区、N缓冲层、N+阴极区、阴极电极、P缓冲层、P+阳极区、阳极金属电极、内嵌P环及横向电阻区。N缓冲层位于N‑漂移区的下方；N+阴极区位于N缓冲层的下方；阴极电极位于N+阴极区的下方；P缓冲层位于N‑漂移区的上方；P+阳极区位于P缓冲层的内部；阳极金属电极位于P+阳极区的上方；内嵌P环位于P缓冲层的内部；及横向电阻区位于N‑漂移区的上方。终端区包括接触式场环、浮空场环、截止环、场板及终端阴极P+区；以及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210110784 U
(45)授权公告日
2020.02.21
(21)申请号 20192
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