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一种系统可包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；第二半导体处理站，所述第二半导体处理站被配置为在所述材料已经沉积在所述第一半导体晶片上之后执行指示所述材料的厚度的测量；以及控制器。所述控制器可被配置为：从所述第二站接收所述测量；将基于所述测量的输入提供给经训练的模型，所述经训练的模型被配置为生成调整所述第一站的操作参数的输出，使得所述材料的所述厚度更接近目标厚度；并且使得所述第一站使用由所述输出调整的所述操作参数将所述材料沉积在第二晶片上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116598216 A
(43)申请公布日 2023.08.15
(21)申请号 202310076026.3 (51)Int.Cl .
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