包括台面区的沟槽结型场效应晶体管.pdfVIP

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2023-08-16 发布于四川
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包括台面区的沟槽结型场效应晶体管.pdf

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本公开涉及包括台面区的沟槽结型场效应晶体管JFET。JFET包括由第一沟槽和第二沟槽沿着第一侧向方向限制的台面区。第一沟槽和第二沟槽从半导体主体的第一表面延伸到半导体主体中。JFET还包括由第二导电型的第一栅极区和第二栅极区沿着第一侧向方向限制的第一导电型的的台面沟道区，第一pn结由台面沟道区和第一栅极区定义并且第二pn结由台面沟道区和第二栅极区定义。沿着第一侧向方向，台面沟道区包括沿着第一侧向方向具有相同广度的第一、第二和第三台面沟道子区，并且第二台面沟道子区中沿着第一侧向方向平均的第一导电型

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116598334 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310099170.9 (22)申请日 2023.02.09 (30)优先权数据 2 2022