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硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件.pdfVIP

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  • 2023-08-17 发布于四川
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硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件.pdf

    本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210123485 U (45)授权公告日 2020.03.03 (21)申请号 20192

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