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- 2023-08-17 发布于四川
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本实用新型提供了一种可应用于低电压环境的欠压检测电路，包括PMOS管PM1；NMOS管NM1和NM2；反相器I1和I2；电容CP和电源电压VDD，电容CP一端接电源电压VDD，另一端接入NM2的源端，其中NM2都为低阈值NMOS管。本实用新型可以在低电压环境中应用且在正常工作状态下无静态功耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210123454 U
(45)授权公告日
2020.03.03
(21)申请号 20192
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