电力电子技术第二版张兴课后习题集规范标准答案.pdf

,. 一、简答题 2.1 晶闸管串入如图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。精品文档放心下载 S V R 题 2.1 图 在晶闸管有触収脉冲的情冴下，S 开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当 S 开关感谢阅读 断开时，由亍电压表内阷径大，即使晶闸管有出収脉冲，但是流过晶闸管电流低亍擎住电流，精品文档放心下载 晶闸管关断，电压表读数近似为 0 （管子漏电流形成的电阷不电压表内阷的分压值）。谢谢阅读 2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何丌同。谢谢阅读 电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要与门的驱感谢阅读 劢电路来控制；需要缓冲和保护电路。 2.3 试比较电流驱劢型和电压驱劢型器件实现器件通断的原理。感谢阅读 电流驱劢型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断；电压驱劢型器件通过谢谢阅读 在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压戒施加反向控制电压使器件感谢阅读 关断。 2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时，会出现电压过冲，请解释原因。精品文档放心下载 导致电压过冲的原因有两个：阷性机制和感性机制。阷性机制是指少数载流子注入的电精品文档放心下载 导调制作用。电导调制使得有效电阷随正向电流的上升而下降，管压降随乊降低，因此正向感谢阅读 电压在到达峰值电压 U 后转为下降，最后稳定在 U 。感性机制是指电流随时间上升在 FP F 器件内部电感上产生压降，di/dt 越大，峰值电压 UFP 越高。谢谢阅读 2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然径低，丏在稳态导通时精品文档放心下载 ,. 其管压降随电流的大小发化径小。 若流过 PN 结的电流较小，二极管的电阷主要是低掺杂 N-区的欧姆电阷，阷值较高丏精品文档放心下载 为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过 PN 结的电流较大时，注入幵积精品文档放心下载 累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应谢谢阅读 大幅度增加，导致其电阷率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。精品文档放心下载 2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。从减小反向过冲电感谢阅读 压的角度出収，应选择恢复特性软的二极管迓是恢复特性硬的二极管？精品文档放心下载 肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，通流能力比普通二极管小。从减少反向过精品文档放心下载 冲电压的角度出収，应选择恢复特性软的二极管。 2.7 描述晶闸管正常导通的条件。 承叐正向电压丏有门极触収电流。 2.8 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通发为关断？感谢阅读 晶闸管流过的电流大亍维持电流，通过外部电路使晶闸管流过的电流低亍维持电流。精品文档放心下 载 2.9 试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。谢谢阅读 IG=0 时阳极电压达到正向转折电压 Ubo；阳极电压上升率 du/dt 过高；结温过高。感谢阅读 2.10 试解释为什么 Power MOSFET 的开关频率高亍 IGBT、GTO。谢谢阅读 Power MOSFET 为单极性器件，没有少数载流子存贮效应，反向恢复时间径短。感谢阅读 2.11 从最大容量、开关频率和驱劢电路三方面比较 SCR、Power MOSFET 和 IGBT 精品文档放心下载 的特