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一种复合衬底.pdfVIP

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  • 2023-08-17 发布于四川
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一种复合衬底.pdf

    本实用新型公开了一种复合衬底，包括衬底，以及位于所述衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜的等效膨胀系数小于衬底的热膨胀系数；热膨胀补偿薄膜包括电介质层和耐高温金属层，电介质层位于所述衬底和耐高温金属层之间。本实用新型避免了化合物半导体高温生长时温差引起的热翘曲过大问题，进而减小外延片高温生长时中心和边缘区域的温差，从而改善外延生长中的厚度，组分和掺杂的均匀性提高外延片的器件良率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210120112 U (45)授权公告日 2020.02.28 (21)申请号 20192

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