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一种复合硅衬底.pdfVIP

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  • 2023-08-17 发布于四川
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一种复合硅衬底.pdf

    本实用新型公开了一种复合硅衬底，包括硅衬底，以及位于所述硅衬底背面的热膨胀补偿薄膜；热膨胀补偿薄膜包括耐高温保护层和至少一层热失配层，热失配层位于所述硅衬底和耐高温保护层之间，热失配层的热膨胀系数大于硅衬底的热膨胀系数。本实用新型可以调节硅衬底高温生长前的初始曲率，使硅基氮化物高温外延生长中存储更多压应力，同时避免衬底塑性形变发生，进而得到更厚的外延薄膜，达到改善器件缓冲层漏电和提高外延膜晶体质量的作用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210120127 U (45)授权公告日 2020.02.28 (21)申请号 20192

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