模拟电子技术基础试卷及答案.docxVIP

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模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18 分) 二极管最主要的特性是 单向导电性 。 如果变压器二次(即副边)电压的有效值为 10V,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V,经过电容滤波后为 12 V, 二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 差分放大电路,若两个输入信号 u ?u ,则输出电压,u ? 0 ;若 u =100?V, u =80?V 则差模输入电压 I1 I2 O I1 I 2 u =?20?V;共模输入电压 u =?90 ?V。 Id Ic 在信号处理电路中,当有用信号频率低于 10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于 10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制 50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率, 可选用 带通 滤波器。 若三级放大电路中 A ?A ? 30?dB,A u1 u2 □ 20?dB,则其总电压增益为 80 dB,折合为 104 倍。 u3 乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I □ 0 、静态时的电源功耗P CQ = 0 。这类功放的能量转换 DC 效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 集成三端稳压器 CW7915 的输出电压为 15 V。 二、选择正确答案填空(20 分) D5i /mA-40u /V在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V,-10 V D 5 i /mA -4 0 u /V A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A.P 沟道增强型 MOS 管 B、P 沟道结型场效应管 C、N 沟道增强型 MOS 管 D、N 沟道耗尽型 MOS 管 GS 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率 f L 降低,应( D )。 V1V2A. 减小 C,减小 R B. 减小 C, V 1 V 2 i i C. 增大 C,减小 R i D. 增大 C,增大 R i 如图所示复合管,已知 V 的? 1 1 = 30,V 的? 2 2 = 50,则复合后的?约为( A )。 A.1500 B.80 C.50 D.30 RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 +VR +V R CC B R C + V + u _ O R i 4 题图 t t 7 题图 I CR C R s u s u o 与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C ) 。 a.不用输出变压器 b.不用输出端大电容 c.效率高 d.无交越失真 稳压二极管稳压时,其工作在( C ),发光二极管发光时,其工作在( A )。a.正向导通区 b.反向截止区 c.反向击穿区 三、放大电路如下图所示,已知:V ?12V,R ?10k? ,R ?120k? , R ?39k? ,R ?3.9k? ,R ?2.1k? ,R ?3.9k? , CC S B1 B2 C E L r bb’ □ ??,电流放大系数?? 50,电路中电容容量足够大,要求: +VRB1_+ CR +V R B1 _+ C R C 2 C 1 V R S R B2 u R + E s C E ( 设 U ??0.6V); BQ CQ CC CEQ BEQ 画出放大电路的微变等效电路; 求电压放大倍数A ,源电压放大倍数 A ,输入电阻 R ,输出电阻 R 。 u us i o 去掉旁路电容 C ,求电压放大倍数 A ,输入电阻 R 。 (12 分) R L 解: R (1) U ? B 2 E u ? V ? 2 .9 V U ? U ? U i ? 2 .3 V I ? I C E  U ? E ? 1 .09 mA R B R ? R CC B1 B 2 E B BE I I ? E B ? E ? 0 .02 mA  26 U ? V ? ( R ? R ) ? I ? 5 .46 V CE CC C E C ? ( R // R ) rbe ? 200 ? 51 1 .09 ? 1 .4 k? (3) A ? ? u C L ?

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