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本申请提供一种半导体工艺设备及其下电极结构，下电极结构包括基座、卡盘、顶针机构以及射频馈入机构，其中，卡盘设置于基座上方，用于承载晶圆；基座包括基座本体，基座本体内部形成有容置空腔，顶针机构包括顶针、顶针支架和中心导向轴，中心导向轴固定设置于容置空腔内，顶针支架能够沿中心导向轴升降以带动顶针升降，中心导向轴与卡盘同轴设置；射频馈入机构穿过容置空腔且与卡盘下表面的中央相连。射频馈入机构在容置空腔内倾斜设置，能够避让中心导向轴，使中心导向轴可与卡盘同轴设置。顶针机构升降的过程中，中心导向轴可使作用力
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219553582 U
(45)授权公告日 2023.08.18
(21)申请号 202320418456.4
(22)申请日 2023.02.28
(73)专利权人 北京北方华创微
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