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本发明公布了一种磁传感器阵列集成结构及其制作方法，所述磁传感器阵列由偏置磁铁、体声波谐振器阵列芯片、芯片管脚、陶瓷封装基座、磁流体和玻璃覆片组成。所述体声波谐振器阵列芯片包括：硅衬底、布拉格声反射层、底电极、压电薄膜层、顶电极、过孔填充、电极焊盘。本发明所涉及的磁传感器阵列首次提出了利用高频剪切波检测磁流体在饱和偏置场下对外磁场的流变响应的磁测量机理，充分利用磁流体响应范围广和厚度剪切波模式体声波谐振器分辨率高、集成高度高的优点，实现了一种高精度、宽量程的新型磁传感器阵列，可以有效满足微弱磁场成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 106405446 A
(43)申请公布日
2017.02.15
(21)申请号 20161
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