碳化硅功率器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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碳化硅功率器件及其制造方法.pdf

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提供了一种具有低的导通电阻Ron的碳化硅功率器件(100)及其制造方法。碳化硅功率器件(100)包括第一导电型衬底(20)、多个碳化硅层堆叠(30)、连续绝缘层(40)和栅电极层(45)。每个碳化硅层堆叠(30)包括堆叠在衬底(20)上的以下各层：第一导电型漏极层(35)、第二导电型沟道层(37)和第一导电型源极层(36)。多个第一绝缘层部分(42)横向地覆盖和包围每个碳化硅层堆叠(30)的至少漏极层(35)和沟道层(37)。每个沟道层(37)的每个点横向地夹在栅电极层(45)的两个相对部分之间

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116615806 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202180085616.1 (74)专利代理机构北京市汉坤律师事务所