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本发明属于抗质子辐照半导体器件技术领域，具体涉及一种基于氮化铝/氮化硅堆叠结构和BCB桥的抗质子辐照InP基HEMT器件。所述InP基HEMT表面通过覆盖AlN/Si3N4堆叠结构和BCB桥作为器件的钝化层。其中，AlN/Si3N4堆叠结构能够较好地抑制器件表面效应，同时减少PECVD设备在生长Si3N4的过程中由于等离子损伤引入的表面缺陷，BCB材料具有优异的核阻止和电子阻止本领，BCB桥减小了器件寄生分布电容且减轻了器件内部热量聚集，有效提升器件抗质子辐照能力的同时减小对器件特性的影响。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111403482 A
(43)申请公布日
2020.07.10
(21)申请号 2
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