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本发明提供一种干法刻蚀损伤的修复方法及栅极的制备方法,本发明将具有栅极干法刻蚀损伤的氮化镓外延衬底先通过湿法腐蚀降低干法刻蚀物理轰击造成的表面粗糙度和表面粗糙引起的表面缺陷,再通过表面离子处理来修复干法刻蚀对氮化镓外延层造成的晶格缺陷,本发明能大幅度减小因干法刻蚀造成的缺陷密度和表面粗糙度的影响,并通过原子力显微镜图和测量肖特基电容得到了验证,解决了现有技术中栅极形貌差和刻蚀工艺窗口小的问题,本发明操作简单,成本低廉,便于本发明的推广。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116613066 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310578402.9
(22)申请日 2023.05.22
(71)申请人 浙江大学
地址 310058
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