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本发明公开了一种阳极结构、OLED器件及阳极结构制备方法，属于OLED发光技术领域。阳极结构包括硅基板、像素阳极层、PDL层和反射层，所述像素阳极层设置于所述硅基板上，所述PDL层的下端部设置于所述像素阳极层的凹槽内，所述PDL层的上端部相对所述像素阳极层伸出所述凹槽，所述反射层呈梯形结构，且所述反射层设置于所述PDL层的上端部上，OLED发光层设置于所述像素阳极层上且位于相邻两个所述反射层之间。本发明的器件发光时，光路会从各种方向射出，当经过反射层材料时，会在反射层两侧的反射面进行全反射，进而
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116615043 A
(43)申请公布日 2023.08.18
(21)申请号 202310578410.3 H10K 71/60 (2023.01)
(22)申请日 2023.05.
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