一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法.pdf

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本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAsCaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116613626 A (43)申请公布日 2023.08.18 (21)申请号 202310896576.X (22)申请日 2023.07.21 (71)申请人南昌凯迅光电股份有限公司地址