一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法.pdfVIP

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2023-08-19 发布于四川
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一种低电场源极抹除非挥发性内存单元及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种低电场源极抹除非挥发性内存单元，包含一基板，该基板具有上表面或与上表面相接的沟槽，上表面的一侧形成漏极区，另一侧形成源极区。该源极区具有一从浓掺杂区向漏极一侧延伸的淡掺杂区，形成于基板上表面或该沟槽的侧墙表面上。该内存结构还包括第一介电层、选择栅极区、穿隧介电层、悬浮栅极区、控制栅极区、以及第二介电层。其中悬浮栅极区的一侧外缘与源极淡掺杂区对其，并与浓掺杂区形成水平或垂直错位。本发明能够减轻栅极引发源极漏电流效应所造成的漏电流，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步配合先进制程缩

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号CN 103811498 A (10)申请公布号 CN 103811498 A (43)申请公布日 2014.05.21 (2