模拟电子技术（第2版）全套PPT课件.pptxVIP

1.1 半导体二极管 1.2 特种二极管 1.3 二极管整流电路 1.4 滤波电路 ;1.了解本征半导体、杂质半导体与PN结的基本知识。 2.了解二极管的结构，熟悉图形符号、单向导电性，理解二极管伏安特性、主要参数、掌握二极管应用，会用万用表检测二极管极性和质量优劣。 3. 熟悉稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管电路符号、工作特点及其应用；了解肖特基二极管、快速恢复二极管的功能、电路符号，了解SMT与微型二极管基本知识。 ;4.掌握单相整流电路组成及工作原理；会估算整流电路输出直流电压、选择整流二极管；掌握全波、桥式整流电路中二极管的正确装接方法；选学倍压整流电路组成、工作原理及应用。 5.理解电容滤波电路工作原理，会估算输出电压，会正确选用二极管和电解电容；了解LC滤波电路组成，熟悉RC滤波电路组成，会估算输出电压。 ; 半导体二极管是最简单的电子器件，应用十分广泛。图1.0.1所示是一款照明、验钞功能“二合一”的充电式手电筒，在电路板上可以找到四种不同的二极管。 手电筒内部电路板如图1.0.2所示。它采用超高亮可聚光环保型LED灯，耗电低，照明时间长。手电筒内置充电免维护铅酸蓄电池，可循环充放电使用。 ;1.1 半导体二极管; 1.1.1 半导体与PN结、二极管基础知识 ; 1.热敏特性 ;1.1 半导体二极管; 某些半导体，受到光照时，半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏”特性。光照强度越强，半导体的导电性能越好。 ;图1.1.2 掺杂半导体共价键结构示意图 (a)N型半导体 (b)P型半导体 ;图1.1.3 N型半导体和P型半导体简化结构示意图 (a)N型半导体简化结构示意图 (b)P型半导体简化结构示意图 ; 三、PN结及其单向导电性 如果通过一定的生产工艺把半导体的P区和N区部分结合在一起，则它们的交界处就会形成一个很薄的空间电荷区，称为PN结（PN Juntion）。 PN结具有单向导电性，外加偏置电压，正偏导通，反偏截止。即P区电位高于N区，PN结通导，相当于开关闭合；P区电位低于N区电位，PN结截止，相当于开关断开。 ;1.1.2 半导体二极管的结构、类型、电路符号 ;二、电路符号 ;国产半导体器件命名方法。 ;1.1.3 二极管的伏安特性 ; 二极管阳极电位高于阴极电位，称为二极管(PN结)正向偏置，简称正偏(Forward bias)； 二极管阳极电位低于阴极电位，称为二极管(PN结)反向偏置，简称反偏(Reverse bias)。 二极管正偏导通，反偏截止的这种特性称为单向导电性(Onilateral conductivity)。 ; 二、二极管的伏安特性(Volt-ampere characteristics); 1.正向特性 当二极管正向偏置，硅管正偏电压u＜0.5V，锗管小于0.1V时，IF≈0，故称为死区，这个电压称为死区电压Uth(又称为阈值电压或门坎电压)，如图1.1.6中0A段所示。 当正偏电压大于阈值电压，随着外加电压的增加，正向电流逐渐增大。当正偏电压达到导通电压UD(on)（硅管约为0.7V，锗管约为0.2V）曲线陡直上升,u稍增大，IF显著增加（IF每增加十倍，U约增加60mV）。这一段称为“正向导通区”，曲线如图中BC段所示。其中曲线AB段称之为“缓冲带”。BC段对应的二极管两端电压称为二极管的正向管压降UF，硅二极管UF为0.7~0.8V,一般取0.7V，锗管UF为0.2~0.3V，通常取0.2V。这一段二极管正向管压降近似恒定。在实际使用中，二极管正偏导通就是指工作在这一段。 ; 2.反向特性 二极管反向偏置时，二极管有微小电流通过，称为反向电流，如图1.1.6中OD段所示。由图可见，反向电流基本上不随反向偏置电压的变化而变化。这时，二极管呈现很高的反向电阻，处于截止状态，在电路中相当于开关处于关断状态。 二极管的反向电流越小，表明二极管的单向导电性越好。 ; 3.反向击穿特性 在图1.1.6中，当由D点继续增加反偏电压时，反向电流在E处急剧上升，这种现象称之为反向击穿，二极管发生击穿时的电压称为反向击穿电压UBR。 各类二极管的反向击穿电压大小各不相同。普通二极管、整流二极管等不允许反向击穿情况发生，因二极管反向击穿后，电流不加限制，会使二极管PN结过热而损坏。 ;;1.1.5 二极管主要参数;1.1.5 二极管主要参数;