一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管.pdfVIP

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2023-08-23 发布于四川
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一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管.pdf

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本发明提供了一种垂直沟道的n型有机电化学晶体管，包括基底以及位于基底上的漏电极、沟道、源电极、电解质层和栅电极；沟道位于上下堆叠的源电极和漏电极之间，形成三明治结构；电解质层与沟道接触，形成双电层；栅电极位于电解质层的上方或侧方，保持接触；其中，沟道材料为n型有机半导体；电解质层为晶体管的正常运行提供充足阳离子；晶体管在栅电极电压驱动下实现电解质层中阳离子向沟道电化学掺杂和去掺杂，从而调节晶体管的性能，可解决目前水平沟道n型OECTs响应频率较低、n型vOECTs缺失的问题，有望满足未来高性能逻

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116634779 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310576382.1 (22)申请日 2023.05.22 (71)申请人西北工业大学地址 710072