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- 2023-08-23 发布于四川
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本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决接触孔的对准工艺差和尺寸难以控制的技术问题，该制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有导电结构和第一介质层；利用光罩图案去除部分第一介质层，形成暴露导电结构的第一通孔；在第一介质层上和第一通孔中形成牺牲层，牺牲层覆盖第一介质层的主表面；并利用同一光罩图案去除部分牺牲层，保留第一通孔中以及第一通孔的正上方的牺牲层，保留的牺牲层形成为牺牲部；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层的主表面与牺牲部的主表面平齐；去除牺牲部，以形成暴露导电结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631943 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310639299.4
(22)申请日 2023.05.30
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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