原创力文档- 4
- 0
- 约3.74万字
- 约 53页
- 2023-08-23 发布于四川
- 举报
提供了一种晶体管结构和使用该晶体管结构的半导体器件。所述晶体管结构包括：有源图案，所述有源图案在衬底上由第一隔离图案限定；第二隔离图案，所述第二隔离图案位于所述有源图案的上部处；栅极结构，所述栅极结构延伸穿过所述有源图案和所述第一隔离图案，并且所述栅极结构的至少下部延伸穿过所述第二隔离图案；第一氧化物半导体图案，所述第一氧化物半导体图案位于所述栅极结构的下表面和侧壁上、包含富铟IGZO并且至少部分地接触所述第一隔离图案和所述第二隔离图案；以及源极/漏极区，所述源极/漏极区位于所述有源图案的与所述
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116632070 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202211716004.0
(22)申请日 2022.12.29
(30)优先权数据
10-2022-0021421
文档评论（0）