电工电子技术(电子技术)第1讲.pptVIP

二极管的电路符号与基本结构(7) 当前第29页\共有46页\编于星期六\10点 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 二极管的伏安特性 试验电路如图： 当前第30页\共有46页\编于星期六\10点 二极管的伏安特性(1) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 当前第31页\共有46页\编于星期六\10点 二极管的伏安特性(2) D iD uD 二极管的伏安特性曲线：死区：对应于二极管开始导通时的外加电压称为 “死区电压”。锗管约为0.2V, 硅管约0.5V。 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 当前第32页\共有46页\编于星期六\10点 二极管的伏安特性(3) D iD uD 二极管的伏安特性曲线： 正向导通：呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；正向导通电压基本不变，硅管约为0.7V左右，锗管约为0.3V左右； 死区 正向导通 反向截止 反向击穿 当前第33页\共有46页\编于星期六\10点 电工电子学(Ⅲ) 教学基本要求 了解直流稳压电源的基本组成及工作原理； 理解解二极管结构、工作原理、特性及整流作用； 了解RC滤波电路的工作原理； 理解稳压管的特性及其稳压电路的工作原理； 了解线性集成稳压电源的工作原理； 本章讲授： 4学时