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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明涉及一种用于测量磁场的方法,包括:将具有第一频率的微波场辐射到晶体中至少一个测量位置,其至少具有在至少一个测量位置处可光学激发的色心缺陷;辐射激发光并检测产生的荧光;施加变形力,其引起局部机械应变,其中所施加的第一变形力被选择为使得第一频率对应于在没有待测量磁场的第一变形力作用下的色心缺陷的共振频率且所检测的荧光变得最小;将传感器引入待测量磁场中,使得引起共振频率的偏移;以及改变所施加的变形力以补偿共振频率的偏移,直至在第二变形力下重新检测到最小荧光信号为止。此外,本发明还涉及一种用于测量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116626559 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310126380.2
(22)申请日 2023.02.16
(30)优先权数据
102022201695.5
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