磁存储装置.pdfVIP

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  • 2023-08-23 发布于四川
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实施方式提供维持存储单元的特性且抑制不良的产生的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括第1铁磁性层(32)、第1铁磁性层(32)之上的第1非磁性层(33)、第1非磁性层(33)之上的第2铁磁性层(34)、第2铁磁性层(34)之上的氧化物层(35)及氧化物层之上的第2非磁性层(36)。氧化物层(35)包含稀土类元素的氧化物。第2非磁性层(36)包含钴即Co、铁即Fe、硼即B及钼即Mo的每一个。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116634848 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310055470.7 H10N 50/85 (2023.01)

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