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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明公开了一种具有金刚石柱状晶簇的CMP抛光垫修整器及其制备方法，其中，修整器包括基板及设置于基板上的第一金刚石层，所述第一金刚石层中具有多个山峰状柱状晶簇；各柱状晶簇具有至少9个柱状晶，各柱状晶的顶部构成切割尖点，各切割尖点距基板表面的垂直距离为15‑100μm，各柱状晶簇中最高切割尖点的高度差为5μm以下。第一金刚石层采用化学气相沉积方法分阶段沉积，第一金刚石层上还可设置第二金刚石层。本发明公开的CMP抛光垫修整器减少了金属污染的同时增强了CMP抛光垫修整器的使用寿命。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116619246 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310911611.0
(22)申请日 2023.07.24
(71)申请人 北京寰宇晶科科技有限公司
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