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- 2023-08-23 发布于四川
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本发明公开了一种高温压阻特性试样及含有TSV的异形硅转接板制备方法，本发明使用的方法在制造异形结构时避免了传统的机械划片或激光划片时对硅晶圆可能造成的破裂，通过上表面深刻蚀与下表面减薄相结合的方法，实现了异形结构的自动释放分离。同时，本发明面向高温应用提出了与硅通孔TSV工艺兼容的耐高温欧姆接触电极结构硅/二硅化钛/钛/氮化钛/钛/铜，可以用于300℃以上的高温压阻特性的测量。此外，本发明提出的含有TSV的异形硅转接板有利于入射光纤与硅光器件的端面耦合器对准，实现电‑光‑感的三维异构集成系统。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116631944 A
(43)申请公布日 2023.08.22
(21)申请号 202310912407.0
(22)申请日 2023.07.25
(71)申请人 之江实验室
地址 311121
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